English
Spain
Rusia
Italy
GermanyFQD4N25TM-WS
元器件型号详细信息
原厂型号
FQD4N25TM-WS
摘要
MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
详情
表面贴装型 N 通道 250 V 3A（Tc） 2.5W（Ta），37W（Tc） TO-252AA
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
QFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.75 欧姆 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
200 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），37W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252AA
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
FQD4N25
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FQD4N25TM_WSTR
2832-FQD4N25TM-WSTR
FQD4N25TM-WSCT
2832-FQD4N25TM-WS-488
FQD4N25TM_WS-ND
2156-FQD4N25TM-WS-OS
FQD4N25TM_WS
FQD4N25TM_WSDKR-ND
FQD4N25TM-WSDKR
FQD4N25TM_WSDKR
ONSONSFQD4N25TM-WS
FQD4N25TMWS
FQD4N25TM_WSTR-ND
FQD4N25TM_WSCT
FQD4N25TM-WSTR
FQD4N25TM_WSCT-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FQD4N25TM-WS
相关文档
规格书
1(FQD4N25)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 23/Dec/2021)
PCN 设计/规格
()
PCN 封装
()
PCN 零件编号
1(Mult Device Part Number Chg 30/May/2017)
价格
数量: 1
单价: $5.96
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $5.96
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : IRFR214TRPBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 3,121
单价. : ¥11.53000
替代类型. : 类似
库存 : 3,121
单价. : ¥11.53000
替代类型. : 类似
型号 : IRFR214PBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥4.89639
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥4.89639
替代类型. : 类似
型号 : IRFR214TRL
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似
型号 : IRFR214TRLPBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥4.89639
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥4.89639
替代类型. : 类似
型号 : RCD041N25TL
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 330
单价. : ¥5.41000
替代类型. : 类似
库存 : 330
单价. : ¥5.41000
替代类型. : 类似