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GermanySQP120N06-06_GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SQP120N06-06_GE3
摘要
MOSFET N-CH 60V 119A TO220AB
详情
通孔 N 通道 60 V 119A（Tc） 175W（Tc） TO-220AB
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
500
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
119A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
145 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6495 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
175W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
SQP120
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SQP120N06-06_GE3CT-ND
SQP120N06-06_GE3DKR
SQP120N06-06_GE3TR
SQP120N06-06_GE3TRINACTIVE
SQP120N06-06_GE3CT
SQP120N06-06_GE3DKR-ND
SQP120N06-06_GE3TR-ND
SQP120N06-06_GE3DKRINACTIVE
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SQP120N06-06_GE3
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规格书
1(SQP120N06-06)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 12/Nov/2021)
HTML 规格书
1(SQP120N06-06)
EDA 模型
1(SQP120N06-06_GE3 by SnapEDA)
价格
-
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