元器件型号详细信息

原厂型号
HS8K11TB
摘要
MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
详情
MOSFET - 阵列 30V 7A,11A 2W 表面贴装型 HSML3030L10
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
16 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N-通道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7A,11A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
17.9 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
11.1nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
500pF @ 15V
功率 - 最大值
2W
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
HSML3030L10
基本产品编号
HS8K11

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

HS8K11TBDKR
HS8K11TBCT
HS8K11TBTR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Rohm Semiconductor HS8K11TB

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EDA 模型
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仿真模型
1(HS8K11 Spice Model)

价格

数量: 3000
单价: $1.94871
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 1000
单价: $2.15029
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $2.68786
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $3.4002
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $4.436
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $5.01
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $2.15029
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
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数量: 500
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1

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