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GermanyHS8K11TB
元器件型号详细信息
原厂型号
HS8K11TB
摘要
MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
详情
MOSFET - 阵列 30V 7A，11A 2W 表面贴装型 HSML3030L10
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
16 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7A，11A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
17.9 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11.1nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
500pF @ 15V
功率 - 最大值
2W
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
HSML3030L10
基本产品编号
HS8K11
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
HS8K11TBDKR
HS8K11TBCT
HS8K11TBTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Rohm Semiconductor HS8K11TB
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环保信息
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特色产品
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HTML 规格书
1(HSML3030L10 TB Taping Spec)
EDA 模型
()
仿真模型
1(HS8K11 Spice Model)
价格
数量: 3000
单价: $1.94871
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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