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GermanyAPTM100H46FT3G
元器件型号详细信息
原厂型号
APTM100H46FT3G
摘要
MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3
详情
MOSFET - 阵列 1000V（1kV） 19A 357W 底座安装 SP3
原厂/品牌
Microchip Technology
原厂到货时间
32 周
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Microchip Technology
系列
POWER MOS 8™
包装
散装
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
4 N 沟道（半桥）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
1000V（1kV）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
19A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
552 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
260nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6800pF @ 25V
功率 - 最大值
357W
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
SP3
供应商器件封装
SP3
基本产品编号
APTM100
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Microchip Technology APTM100H46FT3G
相关文档
规格书
1(APTM100H46FT3G)
环保信息
()
PCN 设计/规格
1(SP3F Plastic Frame Update 16/Jul/2015)
PCN 组装/来源
1(Assembly Site 17/Jan/2023)
PCN 其他
1(Integration 13/May/2020)
HTML 规格书
1(APTM100H46FT3G)
价格
数量: 12
单价: $832.2425
包装: 散装
最小包装数量: 12
包装: 散装
最小包装数量: 12
替代型号
-