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元器件型号详细信息
原厂型号
IPD042P03L3GBTMA1
摘要
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
详情
表面贴装型 P 通道 30 V 70A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3-11
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
allaboutcomponents.com 停止提供
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.2 毫欧 @ 70A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
175 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
12400 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
150W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3-11
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
IPD042P
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPD042P03L3GBTMA1TR
IPD042P03L3 G
IPD042P03L3 GTR-ND
SP000473922
IPD042P03L3 GDKR-ND
IPD042P03L3 GCT
IPD042P03L3 GCT-ND
IPD042P03L3G
IPD042P03L3 GDKR
IPD042P03L3GBTMA1CT
IPD042P03L3GBTMA1DKR
IPD042P03L3GXT
IPD042P03L3 G-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD042P03L3GBTMA1
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1(IPD042P03L3 G)
仿真模型
1(MOSFET OptiMOS™ 30V P-Channel Spice Model)
价格
数量: 12500
单价: $4.22044
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
数量: 5000
单价: $4.38531
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
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最小包装数量: 2500
数量: 2500
单价: $4.6161
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
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最小包装数量: 2500
数量: 1
单价: $10.89
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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单价: $10.89
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : IPD042P03L3GATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 11
单价. : ¥15.98000
替代类型. : 直接
库存 : 11
单价. : ¥15.98000
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