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GermanyCYD18S36V18-200BBAXI
元器件型号详细信息
原厂型号
CYD18S36V18-200BBAXI
摘要
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA
详情
SRAM - 双端口，同步 存储器 IC 18Mb 并联 200 MHz 3.3 ns 256-FBGA（17x17）
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
托盘
产品状态
停产
存储器类型
易失
存储器格式
SRAM
技术
SRAM - 双端口，同步
存储容量
18Mb
存储器组织
512K x 36
存储器接口
并联
时钟频率
200 MHz
写周期时间 - 字，页
-
访问时间
3.3 ns
电压 - 供电
1.42V ~ 1.58V，1.7V ~ 1.9V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
256-LBGA
供应商器件封装
256-FBGA（17x17）
基本产品编号
CYD18S36
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
3A991B2B
HTSUS
8542.32.0041
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路（IC）/存储器/存储器/Infineon Technologies CYD18S36V18-200BBAXI
相关文档
规格书
1(CYDXXS(72,36,18)V18)
环保信息
1(RoHS Certificate)
特色产品
1(Cypress Memory Products)
PCN 产品变更/停产
()
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(CYDXXS(72,36,18)V18)
EDA 模型
1(CYD18S36V18-200BBAXI by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
-