元器件型号详细信息

原厂型号
FGH40T65UPD
摘要
IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3
详情
IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 268 W 通孔 TO-247-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
450

技术参数

制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
Product Status
停产
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.3V @ 15V,40A
功率 - 最大值
268 W
开关能量
1.59mJ(开),580µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
177 nC
25°C 时 Td(开/关)值
20ns/144ns
测试条件
400V,40A,7 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr)
43 ns
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247-3
基本产品编号
FGH40

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

2156-FGH40T65UPD-OS
2832-FGH40T65UPD
ONSONSFGH40T65UPD

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/onsemi FGH40T65UPD

相关文档

规格书
1(FGH40T65UPD)
环保信息
()
特色产品
1(650 V, 30A/40A/60A, Field Stop Trench, FS3 IGBT for Optimum Performance)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 29/Jan/2021)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Wafer Fab Change 08/Oct/2020)
PCN 封装
()

价格

-

替代型号

型号 : NGTB40N65FL2WG
制造商 : onsemi
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型号 : NGTB35N65FL2WG
制造商 : onsemi
库存 : 90
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型号 : NGTG35N65FL2WG
制造商 : onsemi
库存 : 83
单价. : ¥29.49000
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制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥39.03000
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制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
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制造商 : IXYS
库存 : 0
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型号 : IGW40N65H5FKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥37.52000
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制造商 : Infineon Technologies
库存 : 85
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型号 : IGW50N65H5FKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥41.50000
替代类型. : 类似
型号 : IKW30N65EL5XKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 106
单价. : ¥48.89000
替代类型. : 类似
型号 : IKW50N65H5FKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 180
单价. : ¥49.61000
替代类型. : 类似