元器件型号详细信息

原厂型号
FDD8874
摘要
MOSFET N-CH 30V 116A D-PAK
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 18A(Ta),116A(Tc) 110W(Tc) TO-252AA
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
卷带(TR)
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
18A(Ta),116A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5.1 毫欧 @ 35A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
72 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2990 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
110W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252AA
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
FDD887

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi FDD8874

相关文档

规格书
1(FDD8874, FDU8874)
环保信息
()
EDA 模型
1(FDD8874 by SnapEDA)

价格

-

替代型号

型号 : NVD4C05NT4G
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库存 : 0
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库存 : 10,851
单价. : ¥4.13000
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制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
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