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GermanyNTB190N65S3HF
元器件型号详细信息
原厂型号
NTB190N65S3HF
摘要
MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
详情
表面贴装型 N 通道 650 V 20A（Tc） 162W（Tc） D²PAK-3（TO-263-3）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
FRFET®, SuperFET® III
包装
卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
190 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 430µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
34 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1610 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
162W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK-3（TO-263-3）
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
NTB190
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
488-NTB190N65S3HFTR
NTB190N65S3HF-ND
2832-NTB190N65S3HFTR
488-NTB190N65S3HFDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NTB190N65S3HF
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规格书
1(NTB190N65S3HF)
环保信息
()
HTML 规格书
1(NTB190N65S3HF)
EDA 模型
1(NTB190N65S3HF by Ultra Librarian)
价格
数量: 800
单价: $23.21179
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
数量: 100
单价: $27.2671
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : NTB190N65S3HF
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单价. : ¥37.05000
替代类型. : 参数等效
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库存 : 0
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替代类型. : 类似
库存 : 0
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替代类型. : 类似
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制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥40.98780
替代类型. : 类似
库存 : 0
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替代类型. : 类似
型号 : IPB60R180P7ATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥22.58000
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库存 : 0
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型号 : IPB60R190C6ATMA1
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制造商 : STMicroelectronics
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库存 : 1,000
单价. : ¥36.57000
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单价. : ¥47.22000
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