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GermanyNTMS4177PR2G
元器件型号详细信息
原厂型号
NTMS4177PR2G
摘要
MOSFET P-CH 30V 6.6A 8SOIC
详情
表面贴装型 P 通道 30 V 6.6A（Ta） 840mW（Ta） 8-SOIC
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12 毫欧 @ 11.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3100 pF @ 24 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
840mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
基本产品编号
NTMS41
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
NTMS4177PR2GCT
NTMS4177PR2G-ND
Q7458880ZZ
NTMS4177PR2GTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NTMS4177PR2G
相关文档
规格书
1(NTMS4177P)
环保信息
()
PCN 设计/规格
1(Copper Wire 12/May/2009)
PCN 封装
1(Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018)
HTML 规格书
1(NTMS4177P)
EDA 模型
1(NTMS4177PR2G by Ultra Librarian)
价格
数量: 12500
单价: $3.34271
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
数量: 5000
单价: $3.4733
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
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最小包装数量: 2500
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
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包装: 剪切带（CT）
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替代型号
-