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GermanyBUZ32H3045AATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BUZ32H3045AATMA1
摘要
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO263-3
详情
表面贴装型 N 通道 200 V 9.5A（Tc） 75W（Tc） PG-TO263-3-2
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
SIPMOS®
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
400 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1mA
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
530 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
75W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
BUZ32
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
BUZ32L3045AIN-ND
BUZ32 H3045A
BUZ32H3045AIN-ND
SP000736086
SP000102174
BUZ32 L3045A
BUZ32L3045AXT
BUZ32H3045AIN
BUZ32 L3045A-ND
BUZ32L3045AIN
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BUZ32H3045AATMA1
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规格书
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特色产品
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PCN 产品变更/停产
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HTML 规格书
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价格
-
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