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GermanySTGB30H60DLFB
元器件型号详细信息
原厂型号
STGB30H60DLFB
摘要
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
详情
IGBT 沟槽型场截止 600 V 60 A 260 W 表面贴装型 D²PAK（TO-263）
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
60 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2V @ 15V，30A
功率 - 最大值
260 W
开关能量
393µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
149 nC
25°C 时 Td（开/关）值
-/146ns
测试条件
400V，30A，10 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装
D²PAK（TO-263）
基本产品编号
STGB30
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-497-16508-6
497-16508-6
-497-16508-2
497-16508-2
-497-16508-1
497-16508-1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/STMicroelectronics STGB30H60DLFB
相关文档
规格书
1(STG(B,W)30H60DLFB Datasheet)
视频文件
1(Traction Inverter Power Stages in Electric Vehicles)
PCN 产品变更/停产
1(IGBT GEN1 22-apr-2022)
PCN 组装/来源
1(IGBT/IPM TFS A/T Add 22/Oct/2021)
PCN 封装
1(Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021)
HTML 规格书
1(STG(B,W)30H60DLFB Datasheet)
EDA 模型
1(STGB30H60DLFB by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : STGB30H60DFB
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥24.96000
替代类型. : 参数等效
库存 : 0
单价. : ¥24.96000
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型号 : IXGA30N60C3C1
制造商 : IXYS
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单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似
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