元器件型号详细信息

原厂型号
STH80N10LF7-2AG
摘要
MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 80A(Tc) 110W(Tc) H2Pak-2
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
STMicroelectronics
系列
Automotive, AEC-Q101, STripFET™
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
10 毫欧 @ 40A,10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
28.3 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2900 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
110W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
H2Pak-2
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
基本产品编号
STH80

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/STMicroelectronics STH80N10LF7-2AG

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规格书
1(STH80N10LF7-2AG)
视频文件
1(Motor Control in Electric Vehicles)
HTML 规格书
1(STH80N10LF7-2AG)

价格

数量: 5000
单价: $10.65368
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1000
数量: 2000
单价: $11.06344
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1000
数量: 1000
单价: $11.88296
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1000

替代型号

型号 : RSJ650N10TL
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 34
单价. : ¥50.24000
替代类型. : 类似