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GermanyBSZ023N04LSATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSZ023N04LSATMA1
摘要
MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
详情
表面贴装型 N 通道 40 V 22A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
22A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.35 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
37 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2630 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.1W（Ta），69W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TSDSON-8-FL
封装/外壳
8-PowerTDFN
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
BSZ023N04LS-ND
BSZ023N04LSATMA1CT
BSZ023N04LSCT
BSZ023N04LSATMA1DKR
BSZ023N04LSATMA1TR
BSZ023N04LSTR
BSZ023N04LSTR-ND
BSZ023N04LSDKR-ND
BSZ023N04LSDKR
BSZ023N04LS
SP000953208
BSZ023N04LSCT-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSZ023N04LSATMA1
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规格书
1(BSZ023N04LS)
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特色产品
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PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 04/Jul/2014)
HTML 规格书
1(BSZ023N04LS)
价格
-
替代型号
型号 : FDMS8333L
制造商 : onsemi
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