最后更新
20250429
Language
简体中文
English
Spain
Rusia
Italy
Germany
元器件资讯
库存查询
R1LV1616RSD-5SI#S0
元器件型号详细信息
原厂型号
R1LV1616RSD-5SI#S0
摘要
IC SRAM 16MBIT PAR 52TSOP II
详情
SRAM 存储器 IC 16Mb 并联 55 ns 52-TSOP II
原厂/品牌
Renesas Electronics America Inc
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
>>>点击查询实时库存<<<
技术参数
制造商
Renesas Electronics America Inc
系列
-
包装
卷带(TR)
Product Status
停产
allaboutcomponents.com 可编程
Not Verified
存储器类型
易失
存储器格式
SRAM
技术
SRAM
存储容量
16Mb
存储器组织
2M x 8,1M x 16
存储器接口
并联
写周期时间 - 字,页
55ns
访问时间
55 ns
电压 - 供电
2.7V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
52-TFSOP(0.350",8.89mm 宽)
供应商器件封装
52-TSOP II
基本产品编号
R1LV1616R
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
3A991B2A
HTSUS
8542.32.0041
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路(IC)/存储器/存储器/Renesas Electronics America Inc R1LV1616RSD-5SI#S0
相关文档
规格书
1(R1LV1616R Series)
环保信息
1(RoHS Compliance)
PCN 封装
1(Label Change-All Devices 01/Dec/2022)
EDA 模型
1(R1LV1616RSD-5SI#S0 by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
-
相似型号
RNCF0603DTC36R5
RNCF1210DKE255K
1300920239
ES07D-M-08
31.8363