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GermanyIPP60R950C6XKSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPP60R950C6XKSA1
摘要
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3
详情
通孔 N 通道 600 V 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO220-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
950 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 130µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
13 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
280 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
37W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IPP60R
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP000629364
IPP60R950C6
IPP60R950C6-ND
INFINFIPP60R950C6XKSA1
2156-IPP60R950C6XKSA1-IT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPP60R950C6XKSA1
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规格书
1(IPx60R950C6)
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特色产品
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PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices EOL 31/Aug/2017)
HTML 规格书
1(IPx60R950C6)
仿真模型
1(CoolMOS™ Power MOSFET 600V C6 Spice Model)
价格
-
替代型号
型号 : IPP80R900P7XKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥13.67000
替代类型. : 直接
库存 : 0
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型号 : STP6N60M2
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 28
单价. : ¥13.28000
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制造商 : onsemi
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型号 : STP7N60M2
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 2,034
单价. : ¥11.69000
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型号 : STP9NK60Z
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 35
单价. : ¥22.66000
替代类型. : 类似
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型号 : STP6N62K3
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 86
单价. : ¥15.50000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥15.50000
替代类型. : 类似
型号 : STP9N60M2
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 35
单价. : ¥12.88000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥12.88000
替代类型. : 类似