元器件型号详细信息

原厂型号
HGT1N30N60A4D
摘要
IGBT MOD 600V 96A 255W SOT227B
详情
IGBT 模块 单路 600 V 96 A 255 W 底座安装 SOT-227B
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
Product Status
停产
IGBT 类型
-
配置
单路
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
96 A
功率 - 最大值
255 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.7V @ 15V,30A
电流 - 集电极截止(最大值)
250 µA
输入
标准
NTC 热敏电阻
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
底座安装
封装/外壳
SOT-227-4,miniBLOC
供应商器件封装
SOT-227B
基本产品编号
HGT1N30

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/onsemi HGT1N30N60A4D

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规格书
1(HGT1N30N60A4D)
环保信息
1(onsemi RoHS)
HTML 规格书
1(HGT1N30N60A4D)

价格

-

替代型号

-