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GermanyNDD03N40Z-1G
元器件型号详细信息
原厂型号
NDD03N40Z-1G
摘要
MOSFET N-CH 400V 2.1A IPAK
详情
通孔 N 通道 400 V 2.1A（Tc） 37W（Tc） I-Pak
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
75
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.4 欧姆 @ 600mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
140 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
37W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
I-Pak
封装/外壳
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
基本产品编号
NDD03
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
ONSONSNDD03N40Z-1G
2156-NDD03N40Z-1G-ON
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NDD03N40Z-1G
相关文档
规格书
1(NDD03N40Z, NDT03N40Z)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 22/Dec/2017)
PCN 组装/来源
1(Mult Devices 29/Aug/2017)
HTML 规格书
1(NDD03N40Z, NDT03N40Z)
价格
-
替代型号
型号 : FDU3N40TU
制造商 : onsemi
库存 : 4,918
单价. : ¥5.96000
替代类型. : 直接
库存 : 4,918
单价. : ¥5.96000
替代类型. : 直接
型号 : IRFU420APBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥12.56000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥12.56000
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