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元器件型号详细信息
原厂型号
FGH40T65SQD_F155
摘要
650V FS4 TRENCH IGBT
详情
IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 238 W 通孔 TO-247-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
Product Status
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
160 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.1V @ 15V，40A
功率 - 最大值
238 W
开关能量
138µJ（开），52µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
80 nC
25°C 时 Td（开/关）值
16.4ns/86.4ns
测试条件
400V，10A，6 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
31.8 ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247-3
基本产品编号
FGH40
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/onsemi FGH40T65SQD_F155
相关文档
规格书
1(FGH40T65SQD)
环保信息
()
PCN 封装
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
HTML 规格书
1(FGH40T65SQD)
EDA 模型
1(FGH40T65SQD_F155 by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
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