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GermanyGT10J312(Q)
元器件型号详细信息
原厂型号
GT10J312(Q)
摘要
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
详情
IGBT 600 V 10 A 60 W 表面贴装型 TO-220SM
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
10 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
20 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.7V @ 15V，10A
功率 - 最大值
60 W
开关能量
-
输入类型
标准
25°C 时 Td（开/关）值
400ns/400ns
测试条件
300V，10A，100 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
200 ns
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装
TO-220SM
基本产品编号
GT10J312
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Toshiba Semiconductor and Storage GT10J312(Q)
相关文档
规格书
1(GT10J312)
HTML 规格书
1(GT10J312)
价格
-
替代型号
-