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GermanyIPD60R650CEATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPD60R650CEATMA1
摘要
MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 7A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™ CE
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
650 毫欧 @ 2.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
20.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
440 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
63W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
IPD60R
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPD60R650CEATMA1DKR
IPD60R650CEATMA1TR
SP001276026
IPD60R650CEATMA1CT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD60R650CEATMA1
相关文档
规格书
1(IPD60R650CE, IPA60R650CE)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
特色产品
()
价格
-
替代型号
型号 : IPD60R650CEAUMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥3.53745
替代类型. : 直接
库存 : 0
单价. : ¥3.53745
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型号 : STD9NM60N
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 2,500
单价. : ¥19.64000
替代类型. : 类似
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型号 : TSM70N750CP ROG
制造商 : Taiwan Semiconductor Corporation
库存 : 6
单价. : ¥34.11000
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型号 : STD11N65M2
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 98
单价. : ¥13.59000
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