元器件型号详细信息

原厂型号
IRFR3709Z
摘要
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 86A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
75

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
86A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6.5 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.25V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
26 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2330 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
79W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D-Pak
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

相关信息

RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

*IRFR3709Z
SP001555082

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IRFR3709Z

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价格

-

替代型号

型号 : IRFR3709ZTRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 1,910
单价. : ¥7.15000
替代类型. : 直接
型号 : IPD50N03S207ATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥9.56586
替代类型. : 类似
型号 : IPD50N03S2L06ATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 2,500
单价. : ¥20.91000
替代类型. : 类似
型号 : FDD8896
制造商 : onsemi
库存 : 38,603
单价. : ¥8.35000
替代类型. : 类似
型号 : DMG8880LK3-13
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似
型号 : STD95N4LF3
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 8,006
单价. : ¥14.87000
替代类型. : 类似
型号 : FDD6670A
制造商 : onsemi
库存 : 610
单价. : ¥10.18000
替代类型. : 类似
型号 : STD100N3LF3
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 2,954
单价. : ¥15.18000
替代类型. : 类似
型号 : TSM060N03CP ROG
制造商 : Taiwan Semiconductor Corporation
库存 : 10
单价. : ¥13.59000
替代类型. : 类似
型号 : DMN3009SK3-13
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 2,500
单价. : ¥5.01000
替代类型. : 类似