DMJ70H601SK3-13

元器件型号详细信息

原厂型号

DMJ70H601SK3-13

摘要

MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252

详情

表面贴装型 N 通道 700 V 8A（Tc） 125W（Tc） TO-252，（D-Pak）

原厂/品牌

Diodes Incorporated

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

供应商库存

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技术参数

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

包装

卷带（TR）

Product Status

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

700 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

8A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

600 毫欧 @ 2.1A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

20.9 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

686 pF @ 50 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

125W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-252，（D-Pak）

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号

DMJ70

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Diodes Incorporated DMJ70H601SK3-13

价格

-

替代型号

型号 : IPD80R280P7ATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 10,276
单价. : ¥27.59000
替代类型. : 直接

型号 : STD11NM60ND

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥29.49000
替代类型. : 类似

型号 : TK560P65Y,RQ

制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 4,173
单价. : ¥10.57000
替代类型. : 类似

型号 : SPD07N60C3ATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 7
单价. : ¥21.86000
替代类型. : 类似

型号 : STD8N60DM2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥12.88000
替代类型. : 类似

型号 : IPD65R420CFDAATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥11.40290
替代类型. : 类似

型号 : IPD80R450P7ATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 7,420
单价. : ¥19.24000
替代类型. : 类似

型号 : SPD08N50C3ATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 6,416
单价. : ¥18.13000
替代类型. : 类似

型号 : STD10NM60N

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 4,910
单价. : ¥22.50000
替代类型. : 类似

SIT3372AI-2E2-33NC90.000000 0BLS.750T RNC60H2803FRB14 S11M07-P06MFG0-3940 MBC57-28-18-A

DMJ70H601SK3-13

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