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元器件型号详细信息
原厂型号
IRFI4510GPBF
摘要
MOSFET N CH 100V 35A TO220
详情
通孔 N 通道 100 V 35A（Tc） 42W（Tc） TO-220AB 整包
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
13.5 毫欧 @ 21A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
81 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2998 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
42W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB 整包
封装/外壳
TO-220-3 整包
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRFI4510GPBF
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1(Mult Dev Label Chgs Aug/2020)
PCN 组装/来源
1(Assembly Site Add 21/Oct/2016)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(IRFI4510GPBF)
仿真模型
1(IRFI4510G Spice Model)
价格
-
替代型号
-