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GermanyBSC200P03LSGAUMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSC200P03LSGAUMA1
摘要
MOSFET P-CH 30V 9.9/12.5A 8TDSON
详情
表面贴装型 P 通道 30 V 9.9A（Ta），12.5A（Tc） 2.5W（Ta），63W（Tc） PG-TDSON-8-1
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9.9A（Ta），12.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
20 毫欧 @ 12.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
48.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2430 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），63W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1
封装/外壳
8-PowerTDFN
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
BSC200P03LSG
SP000359668
BSC200P03LS G
BSC200P03LS GINCT-ND
BSC200P03LSGAUMA1CT
BSC200P03LS GINTR-ND
BSC200P03LS GINCT
BSC200P03LS G-ND
BSC200P03LS GINDKR-ND
BSC200P03LS GINDKR
BSC200P03LSGAUMA1TR
BSC200P03LS GINTR
BSC200P03LSGAUMA1DKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSC200P03LSGAUMA1
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价格
-
替代型号
-