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GermanyIRL6297SDTRPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRL6297SDTRPBF
摘要
MOSFET 2N-CH 20V 15A DIRECTFET
详情
MOSFET - 阵列 20V 15A 1.7W 表面贴装型 DIRECTFET™ SA
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,800
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
最后售卖
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.9 毫欧 @ 15A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 35µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
54nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2245pF @ 10V
功率 - 最大值
1.7W
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
DirectFET™ 等容 SA
供应商器件封装
DIRECTFET™ SA
基本产品编号
IRL6297
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRL6297SDTRPBFDKR
2156-IRL6297SDTRPBF
IRL6297SDTRPBFTR
IRL6297SDTRPBF-ND
IRL6297SDTRPBFCT
IFEINFIRL6297SDTRPBF
SP001578724
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Infineon Technologies IRL6297SDTRPBF
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规格书
1(IRL6297SDTRPbF)
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特色产品
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PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 9/Nov/2022)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Label Chgs 8/Sep/2021)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T Add 26/Feb/2021)
PCN 封装
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
HTML 规格书
1(IRL6297SDTRPbF)
仿真模型
1(IRL6297SD Spice Model)
价格
数量: 9600
单价: $4.46067
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 4800
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 4800
数量: 4800
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