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20250710
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元器件资讯
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TSM60N380CI C0G
元器件型号详细信息
原厂型号
TSM60N380CI C0G
摘要
MOSFET N-CH 600V 11A ITO220AB
详情
通孔 N 通道 600 V 11A(Tc) 125W(Tc) ITO-220AB
原厂/品牌
Taiwan Semiconductor Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
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技术参数
制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
系列
-
包装
管件
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
380 毫欧 @ 5.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
20.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1040 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
125W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
ITO-220AB
封装/外壳
TO-220-3 全封装,隔离接片
基本产品编号
TSM60
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
TSM60N380CI C0G-ND
TSM60N380CIC0G
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N380CI C0G
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规格书
1(TSM60N380)
环保信息
()
HTML 规格书
1(TSM60N380)
价格
数量: 4000
单价: $9.00974
包装: 管件
最小包装数量: 4000
替代型号
型号 : SIHA12N60E-E3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 929
单价. : ¥20.49000
替代类型. : 类似
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