最后更新
20250803
Language
简体中文
English
Spain
Rusia
Italy
Germany
元器件资讯
库存查询
2SK1058-E
元器件型号详细信息
原厂型号
2SK1058-E
摘要
MOSFET N-CH 160V 7A TO3P
详情
通孔 N 通道 160 V 7A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
原厂/品牌
Renesas Electronics America Inc
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
>>>点击查询实时库存<<<
技术参数
制造商
Renesas Electronics America Inc
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
160 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
-
Vgs(最大值)
±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
600 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
100W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-3P
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
2SK1058
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Renesas Electronics America Inc 2SK1058-E
相关文档
规格书
1(2SK1056/7/8)
PCN 封装
1(Label Change-All Devices 01/Dec/2022)
EDA 模型
1(2SK1058-E by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : FDA18N50
制造商 : onsemi
库存 : 221
单价. : ¥24.72000
替代类型. : 类似
相似型号
SXT22418FC27-16.000M
1912-632-SS
PLZ2V4A-HG3_A/H
CPS16-LA00A10-SNCCWTWF-AI0GBVAR-W1069-S
9C12063A1781FKHFT