IPB021N06N3GATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPB021N06N3GATMA1

摘要

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

详情

表面贴装型 N 通道 60 V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

1,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

Product Status

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

120A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

2.1 毫欧 @ 100A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 196µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

275 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

23000 pF @ 30 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

250W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO263-3

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号

IPB021N

其它名称

IPB021N06N3 GTR

IPB021N06N3GATMA1DKR

IPB021N06N3 GTR-ND

IPB021N06N3 GCT-ND

IPB021N06N3G

IPB021N06N3GATMA1CT

IPB021N06N3 GDKR-ND

IPB021N06N3 G-ND

IPB021N06N3 G

IPB021N06N3GATMA1TR

IPB021N06N3 GCT

SP000452248

IPB021N06N3 GDKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPB021N06N3GATMA1

价格

-

替代型号

型号 : IRFS3206TRRPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 6,800
单价. : ¥25.68000
替代类型. : 类似

型号 : BUK762R6-60E,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥18.68000
替代类型. : 类似

型号 : STH260N6F6-2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥37.52000
替代类型. : 类似

型号 : BUK962R8-60E,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 38
单价. : ¥26.31000
替代类型. : 类似

型号 : PSMN1R7-60BS,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥28.30000
替代类型. : 类似

型号 : PSMN3R0-60BS,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥25.68000
替代类型. : 类似

型号 : AOB270L

制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似

型号 : FDB024N06

制造商 : onsemi
库存 : 15,791
单价. : ¥43.09000
替代类型. : 类似

322CNQ030 XC6216D422FR-G SIT3373AC-2B2-33NC644.531250 MS27468T25F29HA-LC SIT1602BC-83-XXN-33.000000

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