元器件型号详细信息

原厂型号
SI4406DY-T1-E3
摘要
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 13A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SOIC
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带(TR)
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
50 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±20V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.6W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
基本产品编号
SI4406

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix SI4406DY-T1-E3

相关文档

规格书
1(SI4406DY)
PCN 产品变更/停产
1(PCN- SIL-0132015 Rev1 18/Feb/2015)
PCN 组装/来源
1(Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014)
HTML 规格书
1(SI4406DY)

价格

-

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