SPB16N50C3ATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

SPB16N50C3ATMA1

摘要

MOSFET N-CH 560V 16A TO263-3

详情

表面贴装型 N 通道 560 V 16A（Tc） 160W（Tc） PG-TO263-3-2

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

1,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™

包装

卷带（TR）

Product Status

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

560 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

16A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

280 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 675µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

66 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1600 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

160W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO263-3-2

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号

SPB16N

其它名称

SPB16N50C3ATMA1TR

SPB16N50C3INTR

SPB16N50C3INTR-ND

2156-SPB16N50C3ATMA1

SPB16N50C3ATMA1DKR

SPB16N50C3INDKR-ND

SP000014895

SPB16N50C3INCT

SPB16N50C3INCT-ND

2156-SPB16N50C3ATMA1-ITTR-ND

SPB16N50C3

SPB16N50C3ATMA1CT

SPB16N50C3XT

SPB16N50C3INDKR

INFINFSPB16N50C3ATMA1

SPB16N50C3-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies SPB16N50C3ATMA1

价格

-

替代型号

型号 : IPB60R280P7ATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 1,030
单价. : ¥20.67000
替代类型. : 类似

型号 : TK14G65W,RQ

制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 0
单价. : ¥19.48000
替代类型. : 类似

型号 : IXTA16N50P

制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥33.27540
替代类型. : 类似

型号 : STB14NM50N

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥32.12000
替代类型. : 类似

型号 : STB23NM50N

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥38.79000
替代类型. : 类似

型号 : STB25N80K5

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥50.24000
替代类型. : 类似

型号 : IXTA460P2

制造商 : IXYS
库存 : 36
单价. : ¥45.47000
替代类型. : 类似

型号 : FDB20N50F

制造商 : onsemi
库存 : 386
单价. : ¥27.66000
替代类型. : 类似

HP4-DC6V WP144IDT GMC10Y5V224Z50NT NTBGS3D5N06C GCB68DHFD

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