SPD04N50C3BTMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

SPD04N50C3BTMA1

摘要

MOSFET N-CH 560V 4.5A TO252-3

详情

表面贴装型 N 通道 560 V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3-11

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™

包装

卷带（TR）

产品状态

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

560 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

4.5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

950 毫欧 @ 2.8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 200µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

22 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

470 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

50W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO252-3-11

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号

SPD04N

其它名称

SPD04N50C3INCT-ND

SPD04N50C3INDKR

SPD04N50C3

SPD04N50C3BTMA1DKR

SPD04N50C3INDKR-ND

SPD04N50C3BTMA1CT

SP000313945

SPD04N50C3INCT

SPD04N50C3BTMA1-ND

SPD04N50C3INTR

SPD04N50C3BTMA1TR

SPD04N50C3INTR-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies SPD04N50C3BTMA1

价格

-

替代型号

型号 : SPD03N60C3ATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 28,080
单价. : ¥12.56000
替代类型. : 直接

型号 : SPD04N50C3ATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 10,237
单价. : ¥13.59000
替代类型. : 直接

型号 : RJK5033DPD-00#J2

制造商 : Renesas Electronics America Inc
库存 : 3,000
单价. : ¥8.38379
替代类型. : 类似

型号 : TK6P53D(T6RSS-Q)

制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 0
单价. : ¥11.37000
替代类型. : 类似

型号 : STD7N52K3

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥5.61390
替代类型. : 类似

型号 : STD8NM50N

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥17.89000
替代类型. : 类似

型号 : STD6N52K3

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 2,754
单价. : ¥13.51000
替代类型. : 类似

892-039-542-103 EC7642-000 DW-10-08-F-D-236 DC2443A W08-SCENH1

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