English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIRLMS5703TRPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRLMS5703TRPBF
摘要
MOSFET P-CH 30V 2.4A MICRO6
详情
表面贴装型 P 通道 30 V 2.4A（Ta） 1.7W（Ta） Micro6™（TSOP-6）
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
180 毫欧 @ 1.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
170 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.7W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
Micro6™（TSOP-6）
封装/外壳
SOT-23-6
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
*IRLMS5703TRPBF
IRLMS5703PBFTR
SP001552748
IRLMS5703PBFCT
IRLMS5703PBFDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRLMS5703TRPBF
相关文档
规格书
1(IRLMS5703)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
产品培训模块
()
设计资源
1(IRLMS5703TR Saber Model)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 9/Apr/2020)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev DC/Mark Chgs 20/Jul/2022)
PCN 封装
()
PCN 其他
1(Micro6 FET Material Chg 30/Sep/2015)
HTML 规格书
1(IRLMS5703)
仿真模型
1(IRLMS5703TR Spice Model)
价格
-
替代型号
-