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GermanyNTNS3A65PZT5G
元器件型号详细信息
原厂型号
NTNS3A65PZT5G
摘要
MOSFET P-CH 20V 281MA SOT883
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 281mA（Ta） 155mW（Ta） SOT-883（XDFN3）（1x0.6）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
8,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
281mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.3 欧姆 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.1 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
44 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
155mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-883（XDFN3）（1x0.6）
封装/外壳
3-XFDFN
基本产品编号
NTNS3
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
NTNS3A65PZT5G-ND
ONSONSNTNS3A65PZT5G
NTNS3A65PZT5GOSDKR
NTNS3A65PZT5GOSCT
NTNS3A65PZT5GOSTR
2156-NTNS3A65PZT5G-OS
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NTNS3A65PZT5G
相关文档
规格书
1(NTNS3A65PZ)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
()
PCN 组装/来源
1(XDFN Pkg Devices Assembly Site 28/Oct/2015)
PCN 封装
1(Covering Tape/Material Chg 20/May/2016)
HTML 规格书
1(NTNS3A65PZ)
价格
-
替代型号
型号 : NTNS3A67PZT5G
制造商 : onsemi
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