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GermanyPHN210,118
元器件型号详细信息
原厂型号
PHN210,118
摘要
MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
详情
MOSFET - 阵列 30V 2W 表面贴装型 8-SO
原厂/品牌
NXP USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
10,000
供应商库存
技术参数
制造商
NXP USA Inc.
系列
TrenchMOS™
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
100 毫欧 @ 2.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.8V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
250pF @ 20V
功率 - 最大值
2W
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SO
基本产品编号
PHN210
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
934033430118
PHN210 /T3-ND
PHN210 /T3
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/NXP USA Inc. PHN210,118
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规格书
1(PHN210)
环保信息
()
PCN 封装
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
价格
-
替代型号
型号 : NTMD4N03R2G
制造商 : onsemi
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制造商 : Infineon Technologies
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单价. : ¥6.20000
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