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GermanyFQPF8N80C
元器件型号详细信息
原厂型号
FQPF8N80C
摘要
MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
详情
通孔 N 通道 800 V 8A（Tc） 59W（Tc） TO-220F-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
QFET®
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.55 欧姆 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2050 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
59W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220F-3
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
FQPF8
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-FQPF8N80C-OS
ONSONSFQPF8N80C
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FQPF8N80C
相关文档
规格书
1(FQPF8N80C Datasheet)
环保信息
()
PCN 设计/规格
()
PCN 封装
()
价格
-
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