元器件型号详细信息

原厂型号
FDMS4D0N12C
摘要
MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
详情
表面贴装型 N 通道 120 V 18.5A(Ta),114A(Tc) 2.7W(Ta),106W(Tc) 8-PQFN(5x6)
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
41 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
18.5A(Ta),114A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4 毫欧 @ 67A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 370A
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
82 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
6460 pF @ 60 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.7W(Ta),106W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-PQFN(5x6)
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
FDMS4

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

FDMS4D0N12COSDKR
FDMS4D0N12C-ND
FDMS4D0N12COSTR
FDMS4D0N12COSCT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi FDMS4D0N12C

相关文档

规格书
1(FDMS4D0N12C)
视频文件
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
环保信息
()
特色产品
1(ON Semiconductor - 30 V to 60 V Trench6 N-Channel MOSFET)
PCN 设计/规格
1(Parameters Maximum Limit Update 24/Nov/2021)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Retraction 4/Jan/2023)
HTML 规格书
1(FDMS4D0N12C)

价格

数量: 3000
单价: $20.86467
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 1000
单价: $21.96279
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $26.04156
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $30.5908
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $37.339
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $41.58
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $21.96279
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $26.04156
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $30.5908
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $37.339
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $41.58
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

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