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GermanyIXTP32N65XM
元器件型号详细信息
原厂型号
IXTP32N65XM
摘要
MOSFET N-CH 650V 14A TO220-3
详情
通孔 N 通道 650 V 14A（Tc） 78W（Tc） TO-220-3
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
62 周
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
IXYS
系列
Ultra X
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
14A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
135 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
54 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2206 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
78W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IXTP32
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/IXYS IXTP32N65XM
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规格书
1(IXTP32N65XM)
PCN 设计/规格
1(Multiple Devices Molding Compound 07/Sep/2020)
价格
数量: 50
单价: $47.391
包装: 管件
最小包装数量: 50
包装: 管件
最小包装数量: 50
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