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GermanyNTP8G206NG
元器件型号详细信息
原厂型号
NTP8G206NG
摘要
GANFET N-CH 600V 17A TO220-3
详情
通孔 N 通道 600 V 17A（Tc） 96W（Tc） TO-220
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
180 毫欧 @ 11A，8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.6V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.3 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
760 pF @ 480 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
96W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
NTP8G2
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
ONSONSNTP8G206NG
NTP8G206NGOS
2156-NTP8G206NG-ON
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NTP8G206NG
相关文档
规格书
1(NTP8G206N)
视频文件
1(GaN Transistors (Gallium Nitride))
环保信息
1(onsemi RoHS)
特色产品
1(Compact Power Solutions)
PCN 产品变更/停产
()
HTML 规格书
1(NTP8G206N)
EDA 模型
()
价格
-
替代型号
型号 : SIHP22N60E-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥32.04000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥32.04000
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