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GermanyIRG4BC30KDSTRRP
元器件型号详细信息
原厂型号
IRG4BC30KDSTRRP
摘要
IGBT 600V 28A 100W D2PAK
详情
IGBT 600 V 28 A 100 W 表面贴装型 D2PAK
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
28 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
56 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.7V @ 15V，16A
功率 - 最大值
100 W
开关能量
600µJ（开），580µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
67 nC
25°C 时 Td（开/关）值
60ns/160ns
测试条件
480V，16A，23 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
42 ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
基本产品编号
IRG4BC30
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-IRG4BC30KDSTRRP
IFEINFIRG4BC30KDSTRRP
SP001541962
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Infineon Technologies IRG4BC30KDSTRRP
相关文档
规格书
1(IRG4BC30KD-SPbF)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
产品培训模块
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 4/Nov/2019)
PCN 设计/规格
1(IGBT D2Pak Mold Compound 16/Sep/2013)
PCN 组装/来源
1(Alternate Diode Supplier 01/Apr/2014)
PCN 封装
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
HTML 规格书
1(IRG4BC30KD-SPbF)
价格
-
替代型号
型号 : IKP15N60TXKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥21.30000
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型号 : STGB15H60DF
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 390
单价. : ¥20.59000
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