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元器件型号详细信息
原厂型号
IPD80R3K3P7ATMA1
摘要
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
详情
表面贴装型 N 通道 800 V 1.9A（Tc） 18W（Tc） PG-TO252-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
39 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™ P7
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.3 欧姆 @ 590mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 30µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
120 pF @ 500 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
18W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
IPD80R3
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IFEINFIPD80R3K3P7ATMA1
IPD80R3K3P7ATMA1DKR
2156-IPD80R3K3P7ATMA1
IPD80R3K3P7ATMA1TR
IPD80R3K3P7ATMA1CT
SP001636440
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD80R3K3P7ATMA1
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PCN 设计/规格
()
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1(CoolMOS A/T Chgs 4/Mar/2022)
HTML 规格书
1(IPD80R3K3P7)
仿真模型
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价格
数量: 25000
单价: $2.74156
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
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