English
Spain
Rusia
Italy
GermanyMG12150S-BN2MM
元器件型号详细信息
原厂型号
MG12150S-BN2MM
摘要
IGBT MODULE 1200V 200A 625W S3
详情
IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥 1200 V 200 A 625 W 底座安装 S3
原厂/品牌
Littelfuse Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Littelfuse Inc.
系列
-
包装
散装
产品状态
停产
IGBT 类型
沟槽型场截止
配置
半桥
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
200 A
功率 - 最大值
625 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.7V @ 15V，150A（标准）
电流 - 集电极截止（最大值）
1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
10.5 nF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
工作温度
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
S-3 模块
供应商器件封装
S3
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
F6498
-MG12150S-BN2MM
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/Littelfuse Inc. MG12150S-BN2MM
相关文档
规格书
1(MG12150S-BN2MM)
视频文件
1(Building Automation – Protect/Sense/Control)
特色产品
()
HTML 规格书
1(MG12150S-BN2MM)
价格
-
替代型号
型号 : FF200R12KE4HOSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 7
单价. : ¥1,207.99000
替代类型. : 类似
库存 : 7
单价. : ¥1,207.99000
替代类型. : 类似