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GermanyIKD10N60RC2ATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IKD10N60RC2ATMA1
摘要
IKD10N60RC2ATMA1
详情
IGBT 沟槽型场截止 600 V 18.8 A 79 W 表面贴装型 PG-TO252-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
60 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
TrenchStop™
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
18.8 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
30 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.3V @ 15V，10A
功率 - 最大值
79 W
开关能量
320µJ（开），170µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
48 nC
25°C 时 Td（开/关）值
14ns/250ns
测试条件
400V，10A，49 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
104 ns
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装
PG-TO252-3
基本产品编号
IKD10N
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP005349955
448-IKD10N60RC2ATMA1CT
448-IKD10N60RC2ATMA1DKR
448-IKD10N60RC2ATMA1TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Infineon Technologies IKD10N60RC2ATMA1
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规格书
1(IKD10N60RC2)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T Chgs 13/Dec/2022)
HTML 规格书
1(IKD10N60RC2)
EDA 模型
1(IKD10N60RC2ATMA1 by Ultra Librarian)
价格
数量: 12500
单价: $4.47024
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
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最小包装数量: 2500
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最小包装数量: 2500
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