English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIPD60R1K0CEATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPD60R1K0CEATMA1
摘要
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO252-3
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 4.3A（Tc） 37W（Tc） PG-TO252-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™ CE
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1 欧姆 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 130µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
13 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
280 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
37W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
IPD60R
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPD60R1K0CEATMA1TR
INFINFIPD60R1K0CEATMA1
IPD60R1K0CEATMA1CT
SP001276032
2156-IPD60R1K0CEATMA1-ITTR-ND
IPD60R1K0CEATMA1DKR
2156-IPD60R1K0CEATMA1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD60R1K0CEATMA1
相关文档
规格书
1(IPD60R1K0CE, IPU60R1K0CE)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
特色产品
1(Data Processing Systems)
HTML 规格书
1(IPD60R1K0CE, IPU60R1K0CE)
EDA 模型
1(IPD60R1K0CEATMA1 by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : IPD60R1K0CEAUMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 22
单价. : ¥6.92000
替代类型. : 直接
库存 : 22
单价. : ¥6.92000
替代类型. : 直接
型号 : IPD60R950C6ATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥10.97000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥10.97000
替代类型. : 类似
型号 : STD5NM60T4
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 4,995
单价. : ¥20.35000
替代类型. : 类似
库存 : 4,995
单价. : ¥20.35000
替代类型. : 类似
型号 : TSM60NB900CP ROG
制造商 : Taiwan Semiconductor Corporation
库存 : 2,681
单价. : ¥23.05000
替代类型. : 类似
库存 : 2,681
单价. : ¥23.05000
替代类型. : 类似