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GermanyFS03MR12A6MA1LB
元器件型号详细信息
原厂型号
FS03MR12A6MA1LB
摘要
POWER MODULE
详情
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV） 400A 20mW 底座安装 AG-HYBRIDD-2
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
6
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HybridPACK™
包装
托盘
产品状态
在售
技术
碳化硅（SiC）
配置
6 N-沟道（3 相桥）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
1200V（1.2kV）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
400A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.7 毫欧 @ 400A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.55V @ 240mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1320nC @ 15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
42600pF @ 600V
功率 - 最大值
20mW
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
AG-HYBRIDD-2
基本产品编号
FS03MR12
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
448-FS03MR12A6MA1LB
SP002725554
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Infineon Technologies FS03MR12A6MA1LB
相关文档
规格书
1(FS03MR12A6MA1LB)
PCN 设计/规格
1(FS03MR DS Rev 27/Jul/2022)
EDA 模型
1(FS03MR12A6MA1LB by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
-