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GermanyTPN2R203NC,L1Q
元器件型号详细信息
原厂型号
TPN2R203NC,L1Q
摘要
MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 45A（Tc） 700mW（Ta），42W（Tc） 8-TSON Advance（3.1x3.1）
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
U-MOSVIII
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
45A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.2 毫欧 @ 22.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
34 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2230 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
700mW（Ta），42W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-TSON Advance（3.1x3.1）
封装/外壳
8-PowerVDFN
基本产品编号
TPN2R203
相关信息
RoHS 状态
符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
TPN2R203NCL1QDKR
TPN2R203NC,L1QTR-ND
TPN2R203NCL1QCT
TPN2R203NC,L1QCT
TPN2R203NCL1QTR
TPN2R203NC,L1Q(M
TPN2R203NC,L1QCT-ND
TPN2R203NC,L1QDKR-ND
TPN2R203NC,L1QTR
TPN2R203NC,L1QDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R203NC,L1Q
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规格书
1(TPN2R203NC)
特色产品
1(Server Solutions)
EDA 模型
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价格
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