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GermanyIRLI530NPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRLI530NPBF
摘要
MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP
详情
通孔 N 通道 100 V 12A（Tc） 41W（Tc） TO-220AB 整包
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
100 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
34 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
800 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
41W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB 整包
封装/外壳
TO-220-3 整包
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-IRLI530NPBF
IFEINFIRLI530NPBF
*IRLI530NPBF
SP001573830
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRLI530NPBF
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规格书
1(IRLI530NPbF)
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1(Part Number Guide)
产品培训模块
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
设计资源
1(IRLI530N Saber Model)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 9/Apr/2020)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Assembly Site Add 21/Oct/2016)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(IRLI530NPbF)
仿真模型
1(IRLI530N Spice Model)
价格
-
替代型号
型号 : IRLI530GPBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 980
单价. : ¥15.34000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥15.34000
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