English
Spain
Rusia
Italy
GermanyNTBGS002N06C
元器件型号详细信息
原厂型号
NTBGS002N06C
摘要
POWER MOSFET, 60 V, 2.2 M?, 211
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 30A（Ta），211A（Tc） 3.7W（Ta），178W（Tc） D2PAK（TO-263）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
55 周
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A（Ta），211A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V，12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.1 毫欧 @ 45A，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 225µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
62.1 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4620 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.7W（Ta），178W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK（TO-263）
封装/外壳
TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
488-NTBGS002N06CDKR
488-NTBGS002N06CTR
488-NTBGS002N06CCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NTBGS002N06C
相关文档
规格书
1(NTBGS002N06C)
环保信息
()
HTML 规格书
1(NTBGS002N06C)
价格
数量: 1600
单价: $42.8187
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
数量: 800
单价: $49.16223
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
数量: 100
单价: $56.4572
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $68.192
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $75.52
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $56.4572
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $68.192
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $75.52
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
替代型号
-