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GermanyBSO080P03NS3GXUMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSO080P03NS3GXUMA1
摘要
MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
详情
表面贴装型 P 通道 30 V 12A（Ta） 1.6W（Ta） PG-DSO-8
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8 毫欧 @ 14.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.1V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
81 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6750 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.6W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-DSO-8
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
基本产品编号
BSO080
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
BSO080P03NS3 GCT-ND
BSO080P03NS3 G-ND
BSO080P03NS3 GDKR-ND
BSO080P03NS3 GCT
BSO080P03NS3G
SP000472996
BSO080P03NS3 G
BSO080P03NS3GXUMA1TR
BSO080P03NS3GXUMA1CT
BSO080P03NS3 GDKR
BSO080P03NS3GXUMA1DKR
BSO080P03NS3 GTR-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSO080P03NS3GXUMA1
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HTML 规格书
1(BSO080P03NS3 G)
仿真模型
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价格
-
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