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GermanySIHJ10N60E-T1-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SIHJ10N60E-T1-GE3
摘要
MOSFET N-CH 600V 10A PPAK SO-8
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 10A（Tc） 89W（Tc） PowerPAK® SO-8
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
69 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
E
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
360 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
50 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
784 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
89W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8
封装/外壳
PowerPAK® SO-8
基本产品编号
SIHJ10
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SIHJ10N60E-T1-GE3TR
SIHJ10N60E-T1-GE3CT
SIHJ10N60E-T1-GE3DKRINACTIVE
SIHJ10N60E-T1-GE3DKR
SIHJ10N60E-T1-GE3TR-ND
SIHJ10N60E-T1-GE3TRINACTIVE
SIHJ10N60E-T1-GE3CT-ND
SIHJ10N60E-T1-GE3DKR-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SIHJ10N60E-T1-GE3
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规格书
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1(SIHJ10N60E)
EDA 模型
1(SIHJ10N60E-T1-GE3 by Ultra Librarian)
价格
数量: 5000
单价: $10.24393
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $10.63793
包装: 管件
最小包装数量: 1
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数量: 1000
单价: $11.42592
包装: 管件
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $13.7899
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $16.7846
包装: 管件
最小包装数量: 1
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数量: 10
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $23.21
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
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